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硅酸盐通报 ›› 2015, Vol. 34 ›› Issue (8): 2177-2180.

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高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜

周学芹;史玉芬;李坤;刘小利   

  1. 常州大学材料科学与工程学院,常州213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州213022;常州大学材料科学与工程学院,常州,213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州,213022
  • 出版日期:2015-08-15 发布日期:2021-01-18

Rapid Growth of Polycrystalline Diamond Films by MPCVD at High Gas Pressure

ZHOU Xue-qin;SHI Yu-fen;LI Kun;LIU Xiao-li   

  • Online:2015-08-15 Published:2021-01-18

摘要: 近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径.本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4浓度不同的条件下进行了多晶金刚石膜的制备研究,并采用扫描电镜、X-射线衍射和激光拉曼光谱技术对所制备样品的表面形貌、物相及品质进行了分析.结果表明,CH4浓度由2.5%提高至5%,金刚石膜的质量较好,沉积速率由7.5μm/h提高至27.5μm/h.

关键词: MPCVD;金刚石膜;生长速率

Key words: MPCVD;polycrystalline diamond films;growth rate

中图分类号: