HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质

硅酸盐通报 ›› 2015, Vol. 34 ›› Issue (7): 1815-1819.

HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质

周小惠;骆丽杰;李建保;陈拥军

广西大学化学化工学院,南宁,530004;海南大学材料与化工学院,海口570228;海南大学热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,海口570228;广西大学化学化工学院,南宁530004;海南大学材料与化工学院,海口570228;海南大学热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,海口570228

出版日期:2015-07-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金重点项目(51162001,51362008)

Hafnia Assisted Synthesis of Si3N4 Nanobelts and Its Photoluminescence Property

ZHOU Xiao-hui;LUO Li-jie;LI Jian-bao;CHEN Yong-jun

Online:2015-07-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 本文以氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对样品的物相、微观结构进行了表征.结果表明:合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好.纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固(VS)生长机制.Si3N4纳米带在360～ 496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有潜在的应用前景.

关键词: 氮化硅;纳米带;化学气相沉积;光致发光

Key words: silicon nitride;nanobelt;chemical vapor deposition;photoluminescence

中图分类号:

TQ127

周小惠;骆丽杰;李建保;陈拥军. HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质[J]. 硅酸盐通报, 2015, 34(7): 1815-1819.

ZHOU Xiao-hui;LUO Li-jie;LI Jian-bao;CHEN Yong-jun. Hafnia Assisted Synthesis of Si3N4 Nanobelts and Its Photoluminescence Property[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2015, 34(7): 1815-1819.

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