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硅酸盐通报 ›› 2008, Vol. 27 ›› Issue (2): 411-414.

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氧化铋薄膜的制备及其性能表征

张争光;王秀峰;王莉丽;田清泉   

  1. 陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021;咸阳师范学院,咸阳,712600;陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021
  • 出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-15

Preparation and Characterization of Bismuth Oxide Thin Films

ZHANG Zheng-guang;WANG Xiu-feng;WANG Li-li;TIAN Qing-quan   

  • Online:2008-04-15 Published:2021-01-15

摘要: 利用化学水浴沉积法在室温下制备了多晶氧化铋薄膜,并在350℃的空气气氛条件下进行退火处理,得到纯的α-Bi2O3,薄膜.对它们的晶相结构、光电性能进行测试.从X衍射分析结果来看,在退火过程中,薄膜结构由四方相和非化学计量相向单斜相转变.光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0.4eV.退火后的薄膜在室温下暗电导率下降2个数量级.电导率的变化显示具有半导体行为的性质.

关键词: 氧化铋;化学水浴法;禁带宽度;电导率

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