硅酸盐通报 ›› 2005, Vol. 24 ›› Issue (3): 77-80.
秦丹丹;王海龙;辛玲;黎寿山;张锐;高濂
出版日期:2005-06-15
发布日期:2021-01-15
基金资助:Qin Dandan;Wang Hailong;Xin Ling;Li Shoushan;Zhang Rui;Gao Lian
Online:2005-06-15
Published:2021-01-15
摘要： 陶瓷电容器,尤其是边界层陶瓷电容器由于具有许多优良的性能,而越来越受到人们的重视.通常用于陶瓷电容器的材料是具有弛豫铁电性能的钛酸盐类材料.本文则介绍了将SiC材料用于制备陶瓷电容器,结果发现,电容器的介电常数高达2 910 000,远远高于传统材料;而同时,其介质损耗也非常高.在此,对降低损耗的工艺过程进行了探讨.
中图分类号:
秦丹丹;王海龙;辛玲;黎寿山;张锐;高濂. SiC边界层陶瓷电容器的制备和性能特点[J]. 硅酸盐通报, 2005, 24(3): 77-80.
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