摘要： 本文采用第一性原理方法,研究了Al-S、Al-2S共掺SnO2的能带结构、态密度以及Mulliken布局.研究结果表明,Al-S共掺时,态密度向低能区方向移动,费米面附近出现深杂质能级,起复合中心的作用,主要由S的3p态贡献;Al-2S共掺时,态密度向低能方向移动程度更高,费米能级附近形成浅施主能级,能级距离导带底更近,S的3p态贡献更大.Al-S共掺会打破SnO2电子平衡状态,导致电荷密度重新分布.
中图分类号:
于淼. Al-S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究[J]. 硅酸盐通报, 2020, 39(6): 1985-1988.
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