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硅酸盐通报 ›› 2019, Vol. 38 ›› Issue (12): 3845-384.

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MgO/MgF2掺杂对Al2O3陶瓷烧结、显微结构及微波介电性能的影响

林聪毅;袁璐;李蔚   

  1. 华东理工大学材料科学与工程学院,上海200237;上海三思电子工程有限公司,上海201199;华东理工大学材料科学与工程学院,上海,200237
  • 出版日期:2019-12-15 发布日期:2021-01-19

Effect of MgO/MgF2 Doping on Sintering, Microstructure and Microwave Dielectric Properties of Al2O3 Ceramics

LIN Cong-yi;YUAN Lu;LI Wei   

  • Online:2019-12-15 Published:2021-01-19

摘要: 采用搅拌混合法和无压烧结工艺,制备了Mg2+浓度为500 ppm的MgO掺杂和MgF2掺杂的Al2O3陶瓷,系统地研究了MgO和MgF2掺杂对Al2O3陶瓷致密化、显微结构和微波介电性能的影响.研究结果表明:与MgO掺杂相比,MgF2掺杂在较高温度下能更加有效地促进Al2O3陶瓷的致密化.在1550℃烧结条件下,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷比MgO掺杂的Al2O3陶瓷的晶粒更大,同时介电常数也更高.但另一方面,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷介电损耗也远比MgO掺杂的Al2O3陶瓷要高.同时简单分析了造成此现象的原因.

关键词: MgO;MgF2;掺杂;Al2O3陶瓷;微波介电性能

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