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硅酸盐通报 ›› 2018, Vol. 37 ›› Issue (11): 3541-3544.

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高硅基质中杂质元素磷的质谱分析

李坦平;谢华林;聂西度   

  1. 湖南工学院新型建筑材料研究院,衡阳,421002;长江师范学院化学化工学院,重庆 408100;长江师范学院武陵山片区绿色发展协同创新中心,重庆 408100
  • 出版日期:2018-11-15 发布日期:2021-01-18
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(21671200)%重庆市高校优秀成果转化资助项目(KJZH17131)%湖南省重点学科建设项目(湘教发[2011]76号)

Analysis of Impurity Element Phosphorus in High Silicon Matrix Using Tendem Mass Spectrometry

LI Tan-ping;XIE Hua-lin;NIE Xi-du   

  • Online:2018-11-15 Published:2021-01-18

摘要: 基于电感耦合等离子体串联质谱(ICP-MS/MS)法发展了准确精密测定高硅基质样品中杂质元素磷的新方法.采用氢氟酸+硝酸混合溶剂对高硅基质样品进行微波辅助消解,最大程度地避免污染并降低分析过程中的空白.针对测定过程中存在的质谱干扰,对比研究了利用He为碰撞气、O2和H2为反应气在不同模式下消除干扰.在MS/MS模式下,采用O2为反应气时不能消除所有的干扰,采用H2为反应气,在碰撞/反应池(CRC)内P+与H2发生反应形成PH+4,可以实现磷的无干扰测定.优化了CRC中最佳的H2反应气流速,选择Sc为内标元素校正了基体效应.采用高硅基质国家标准参考物质(石英岩GBW07837、工业硅GBW(E)010359、石英砂岩GBW07106)验证方法的准确性和精密度,采用t检验法对标准物质的测定值与认证值进行统计学分析,发现所有结果均无显著性差异,验证了方法具有良好的准确性.磷的检出限为96.1 ng/L.方法可用于高硅基质中磷的快速准确分析.

关键词: 高硅基质;电感耦合等离子体串联质谱;碰撞/反应池;磷;H2

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