摘要： 首先,利用TCAD半导体器件仿真软件对比分析了在无前表面结构、N型前表面场(Front Surface Field,FSF)及P型前表面浮空发射区(Front Floating Emitter,FFE)三种不同情况下N型插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)太阳电池的输出特性.然后详细分析了FFE表面浓度和扩散深度对IBC太阳电池转换效率的影响,并在不同的前表面复合速率、背表面发射区覆盖比例及衬底电阻率情况下,针对FFE对IBC太阳电池电学性能的改善效果进行分析和评价,同时给出不同情况下最优的FFE结构参数.仿真结果表明:相比于FSF结构,FFE结构对IBC太阳电池电学性能的改善效果更显著.FFE表面浓度越高,峰值转换效率对应的扩散深度越小.在不同前表面复合速率、发射区覆盖比例及衬底电阻率情况下,FFE对IBC太阳电池转换效率的改善效果不同.在较高的前表面复合速率和较低的发射区覆盖比例情况下,FFE对电池转换效率的改善效果更加显著,对于较高的衬底电阻率情况,FFE对电池转换效率的改善效果与较低衬底电阻率的情况基本相同.

中图分类号: 

• TM914