非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究

硅酸盐通报 ›› 2016, Vol. 35 ›› Issue (9): 2946-2949.

非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究

高锦成;李正亮;曹占锋;姚琪;关峰;惠官宝

京东方科技集团股份有限公司,北京,100176

出版日期:2016-09-15 发布日期:2021-01-18

Key Process Research of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor with Etch Stop Layer

GAO Jin-cheng;LI Zheng-liang;CAO Zhan-feng;YAO Qi;GUAN Feng;HUI Guan-bao

Online:2016-09-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性，采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层，制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ，ESL）结构的IGZO TFT，在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2 O／SiH4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（ Vth ）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2 O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的Vth正偏移。

关键词: 铟镓锌氧化物薄膜晶体管;刻蚀阻挡层;N2 O等离子体;阈值电压

Abstract: In order to improve the performance of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor , IGZO-TFT with etch-stop layer was prepared in 2 .5 G experimental line .The effects of O 2 concentration during IGZO deposition , N2 O plasma treatment , the temperature of ESL deposition and the N 2 O/SiH4 ratio on the IGZO TFT Vth were systemically studied .The results show that the Vth would shift to positive position as the increasing of O 2 concentration , N2 O plasma treatment , and the decreasing of ESL deposition temperature .

Key words: IGZO TFT;etch stop layer;N2 O plasma;threshold voltage

中图分类号:

TN304

高锦成;李正亮;曹占锋;姚琪;关峰;惠官宝. 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究[J]. 硅酸盐通报, 2016, 35(9): 2946-2949.

GAO Jin-cheng;LI Zheng-liang;CAO Zhan-feng;YAO Qi;GUAN Feng;HUI Guan-bao. Key Process Research of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor with Etch Stop Layer[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2016, 35(9): 2946-2949.

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