加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

硅酸盐通报 ›› 2016, Vol. 35 ›› Issue (11): 3607-3612.

加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

高忙忙;朱博;李进;景华玉;董法运;梁森;李海波

宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021;广西大学电气工程学院,南宁,530004

出版日期:2016-11-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金(61366005)%2015宁夏自治区科技攻关项目

Influence of Heater/Crucible Position on the Thermal Field and Crystal Quality in the Preparation of Single Crystal Silicon with φ200 mm

GAO Mang-mang;ZHU Bo;LI Jin;JING Hua-yu;DONG Fa-yun;LIANG Sen;LI Hai-bo

Online:2016-11-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响.结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成.另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降.可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一.

关键词: 单晶硅;温度梯度;固液界面;氧含量

Key words: single crystal silicon;temperature gradient;solid-liquid interface;oxygen concentration

中图分类号:

TQ127

高忙忙;朱博;李进;景华玉;董法运;梁森;李海波. 加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响[J]. 硅酸盐通报, 2016, 35(11): 3607-3612.

GAO Mang-mang;ZHU Bo;LI Jin;JING Hua-yu;DONG Fa-yun;LIANG Sen;LI Hai-bo. Influence of Heater/Crucible Position on the Thermal Field and Crystal Quality in the Preparation of Single Crystal Silicon with φ200 mm[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2016, 35(11): 3607-3612.

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