摘要： 多晶硅铸锭过程中,石英坩埚侧壁中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭的边部,形成多晶硅锭边部的低少子寿命区(边部红区).本文通过在坩埚侧壁上制作三种不同成分的高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中的扩散,以降低硅锭中的边部红区比例.结果表明采用掺钡高纯隔离层可以使硅锭中的边部红区显著变窄,基本消除硅方中的边部红区.
中图分类号:
王梓旭;尹长浩;董慧;吴志勇;钟根香;黄新明. 石英坩埚内高纯隔离层在高效多晶硅铸锭中的应用[J]. 硅酸盐通报, 2015, 34(9): 2525-2528.
WANG Zi-xu;YIN Chang-hao;DONG Hui;WU Zhi-yong;ZHONG Gen-xiang;HUANG Xin-ming. Application of High Purity Barrier Layer in the Silica Crucible for the Casting of High-performance Multi-crystalline Silicon Ingot[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2015, 34(9): 2525-2528.
