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硅酸盐通报 ›› 2015, Vol. 34 ›› Issue (9): 2471-2475.

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拉锭速度对铸造准单晶硅固液界面、氧含量及V/Gn值的影响

李进;薛子文;高忙忙;董法运;梁森;李海波   

  1. 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021;宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021;北京工业大学应用数理学院,北京100124
  • 出版日期:2015-09-15 发布日期:2021-01-18
  • 基金资助:
    国家自然基金(61366005)%2012宁夏自治区科技支撑项目%宁夏自然基金(NZ13041)%宁夏高等学校科学研究项目(NGY2013006)%2012宁夏自治区留学人员创新团队择优资助项目%北京市博士后基金(2012ZZ-09)

Influence of Pulling Rate on Solid-liquid Interface, Oxygen Concentration and V/Gn in the Casting Quasi-single Silicon Growth

LI Jin;XUE Zi-wen;GAO Mang-mang;DONG Fa-yun;LIANG Sen;LI Hai-bo   

  • Online:2015-09-15 Published:2021-01-18

摘要: 太阳能级铸造准单晶硅具有较高的光电转换效率和低的生产成本,是一种具有竞争力的晶硅类太阳能电池材料.本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了拉锭速度对固液界面,晶体氧含量和V/Gn值的影响.结果表明,一方面,随着拉锭速度的增大,固液界面曲率逐渐加大,增加了铸锭边缘区域多晶的形成几率;另一方面,熔体温度逐渐降低,导致晶体氧含量会逐渐减少;同时,拉锭速度大于10 mm/h时,固液界面处V/Gn值均大于临界值.最终,最佳的铸造准单晶硅拉锭速度为10~15 mm/h.

关键词: 准单晶硅;固液界面;氧含量;V/Gn

Key words: quasi-single silicon;solid-liquid interface;oxygen content;V/Gn

中图分类号: