摘要： H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术.文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导体技术中潜在的应用前景.
中图分类号:
王卓;刘昌龙. H、He离子联合注入单晶Si引起的表面损伤研究进展[J]. 硅酸盐通报, 2014, 33(8): 1996-2000.
WANG Zhuo;LIU Chang-long. Advances in Surface Damage on Crystalline Si Induced by Co-implantation of H and He Ions[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2014, 33(8): 1996-2000.
