PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究

硅酸盐通报 ›› 2014, Vol. 33 ›› Issue (4): 757-763.

PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究

张龙龙;周炳卿;张林睿;高玉伟

内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特 010022

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金资助项目(51262022)

Study on Technological Conditions and Properties of Si-rich Silicon Nitride Thin Films Prepared with PECVD

ZHANG Long-long;ZHOU Bing-qing;ZHANG Lin-rui;GAO Yu-wei

Online:2014-04-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等.实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础.

关键词: PECVD;富硅氮化硅薄膜;非晶结构;光学带隙

Key words: PECVD;Si-rich silicon nitride thin films;amorphous structure;optical band gap

中图分类号:

TK514

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