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硅酸盐通报 ›› 2014, Vol. 33 ›› Issue (12): 3196-3199.

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钨丝掺杂对碳化硅放电等离子烧结工艺曲线的影响研究

孙红婵;胡冰;张桓;李晨辉;王鑫阁;张红松   

  1. 河北联合大学机械工程学院,唐山,063009;河南工程学院机械工程学院,郑州,451191
  • 出版日期:2014-12-15 发布日期:2021-01-18

Influence Research on Sintering Process Curve of SiC Doped W by SPS

SUN Hong-chan;HU Bing;ZHANG Huan;LI Chen-hui;WANG Xin-ge;ZHANG Hong-song   

  • Online:2014-12-15 Published:2021-01-18

摘要: 采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.

关键词: 碳化硅;钨丝;烧结工艺

Key words: SiC;W;sintering process

中图分类号: