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硅酸盐通报 ›› 2014, Vol. 33 ›› Issue (1): 107-111.

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氧化锌n型导电机理研究进展

郭保智;刘永生;房文健;徐娟;武新芳;彭麟   

  1. 上海电力学院太阳能研究所,上海,200090
  • 出版日期:2014-01-15 发布日期:2021-01-18
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(11374204)%上海市科委重点项目(12JC1404400,11160500700)

Research Progress on Conductive Mechanism of n-type ZnO

GUO Bao-zhi;LIU Yong-sheng;FANG Wen-jian;XU Juan;WU Xin-fang;PENG Lin   

  • Online:2014-01-15 Published:2021-01-18

摘要: 氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用.制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确.本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响.

关键词: 氧化锌;n型导电;本征缺陷;非故意掺杂

Key words: ZnO;n-type conductivity;native defect;unintentionally incorporated

中图分类号: