碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析

硅酸盐通报 ›› 2013, Vol. 32 ›› Issue (8): 1468-1471.

碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析

闫征;武红磊;郑瑞生

深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳518060

出版日期:2013-08-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金重点资助项目(61136001);国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB635115)

Electronic Structure Analysis of C∶Si Codoping AlN Crystals

YAN Zheng;WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng

Online:2013-08-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理.在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低；当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度.分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体.

中图分类号:

O471

闫征;武红磊;郑瑞生. 碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析[J]. 硅酸盐通报, 2013, 32(8): 1468-1471.

YAN Zheng;WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng. Electronic Structure Analysis of C∶Si Codoping AlN Crystals[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2013, 32(8): 1468-1471.