采用石墨电极制备多孔硅工艺研究

硅酸盐通报 ›› 2013, Vol. 32 ›› Issue (7): 1394-1396.

采用石墨电极制备多孔硅工艺研究

李进;庞骏敏;高忙忙;梁森;王晓芳;薛子文

宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
宁夏自治区2012科技支撑计划项目

Study on Porous Silicon Prepared by Using Graphite Electrode

LI Jin;PANG Jun-min;GAO Mang-mang;LIANG Sen;WANG Xiao-fang;XUE Zi-wen

Online:2013-07-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65％(质量分数wt％,下同)浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构.实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590nm、489.954nm.

关键词: 石墨电极;多孔硅;轮廓均方根偏差;颗粒平均直径;电化学方法;碳原子剥离

Key words: graphite electrode;porous silicon;contour root-mean-square deviation;electrochemical methods;peel of carbon atoms

中图分类号:

TN304

李进;庞骏敏;高忙忙;梁森;王晓芳;薛子文. 采用石墨电极制备多孔硅工艺研究[J]. 硅酸盐通报, 2013, 32(7): 1394-1396.

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