SiC晶须在Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的合成

硅酸盐通报 ›› 2013, Vol. 32 ›› Issue (7): 1375-1378.

SiC晶须在Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的合成

张颖;张军战;刘民生

西安建筑科技大学材料与矿资学院,西安,710055

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2012JQ6001)

Synthesis of SiC Whiskers in Si3N4-C and SiO2-C-N2 System

ZHANG Ying;ZHANG Jun-zhan;LIU Min-sheng

Online:2013-07-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 对Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的主要化学反应以及SiC晶须在两种系统中合成的热力学条件进行了分析,进而采用碳黑为碳源、Si3N4与SiO2微粉为硅源、氧化硼为催化剂,分别在氩气与氮气气氛下,于1600℃合成SiC晶须.采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜等分析手段分析了晶须的生成量和形貌结构特征.结果表明:通过SiO2-C-N2系统可以一步合成SiC晶须,其与Si3N4-C系统合成的均为β-SiC;但在晶须的生成量和质量上,Si3N4-C系统合成的SiC晶须较好.

关键词: SiC晶须;热力学;合成系统;形貌结构特征

Key words: SiC whiskers;thermodynamics;synthesis system;morphology and microstructure

中图分类号:

TQ050

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