摘要： 本文采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜.利用XRD研究了氮的参入对薄膜微结构的影响,结果表明,氮的参入可以提高薄膜的晶化温度；傅立叶红外吸收光谱研究表明高温退火导致了HfOxNy薄膜与Si之间界面层的生长,并且随着退火温度的升高,界面层逐步增厚.
中图分类号:
陈元安;王莹. 高介电HfOxNy薄膜的微结构及界面特性的研究[J]. 硅酸盐通报, 2013, 32(5): 927-929.
CHEN Yuan-an;WANG Ying. Study on Microstructure and Interfacial Properties of HfOxNy Dielectric Thin Films[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2013, 32(5): 927-929.
