AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究

硅酸盐通报 ›› 2013, Vol. 32 ›› Issue (1): 60-64.

AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究

杨艳玲;鲁燕萍;杜斌;杨华猛;杨振涛;刘征

北京真空电子技术研究所,北京,100016

出版日期:2013-01-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
中国电子科技集团公司创新基金

High-frequency Dielectric Properties of AlN-SiC Microwave Attenuation Composites

YANG Yan-ling;LU Yan-ping;Du Bin;YANG Hua-meng;YANG Zhen-tao;LIU Zheng

Online:2013-01-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料.采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构.研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98％,介电性能在X波段ε'为14.01 ～13.98,tgδ为0.158 ～0.163,在Ku波段ε'为11.48 ～10.96,tgδ为0.18 ～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95％,在X波段的ε'为26.97 ～24.26,tgδ为0.326 ～0.327.探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理.

中图分类号:

TM271

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