Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响

硅酸盐通报 ›› 2013, Vol. 32 ›› Issue (1): 149-152.

Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响

杨明珠;牟海维;吕树臣

东北石油大学电子科学学院,大庆,163318;哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150001

出版日期:2013-01-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金(51101027);黑龙江省普通高等学校青年学术骨干支持计划(1252G008)

Effect of Sn Doping on the Electrical Properties of ZnO Varistor

YANG Ming-zhu;MU Hai-wei;LV Shu-chen

Online:2013-01-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 本文采用沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器.分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响.随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大；而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol％时达到极大值.通过适当的掺杂,得到了漏电流为0.08 μA,非线性系数为80.3,压敏电压为1006.7 V1mA/mm性能良好的ZnO变阻器.

中图分类号:

TN304

杨明珠;牟海维;吕树臣. Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响[J]. 硅酸盐通报, 2013, 32(1): 149-152.

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Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响

Effect of Sn Doping on the Electrical Properties of ZnO Varistor

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