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硅酸盐通报 ›› 2012, Vol. 31 ›› Issue (2): 489-493.

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CMP抛光用二氧化硅纳米溶胶沉降现象探究

关飞飞;马超;张金平;唐会明;徐功涛   

  1. 南通海迅天恒纳米科技有限公司,南通,226600
  • 出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-18

Study of SiO2 Nano Sol Precipitate in CMP

GUAN Fei-fei;MA Chao;ZHANG Jin-ping;TANG Hui-ming;XU Gong-tao   

  • Online:2012-04-15 Published:2021-01-18

摘要: 硅溶胶放置过程中由于粒子会发生聚集而导致重力作用大于布朗运动发生沉降.本文以DLVO理论为基础解释了抛光用硅溶胶在放置过程中发生沉降的原因,通过测定硅溶胶的Zeta电位、比重、粘度、pH值考察了粒径、浓度、外加分散剂对硅溶胶稳定性的影响,并提出了防止硅溶胶放置过程中发生沉降的措施.

关键词: 硅溶胶;粒径;浓度;分散剂;沉降

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