多孔石英基体上CVD法沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能研究

硅酸盐通报 ›› 2011, Vol. 30 ›› Issue (5): 1197-1202.

多孔石英基体上CVD法沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能研究

李家亮;牛金叶

山东理工大学化学工程学院,淄博,255049

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-18

Synthetic Techniques, Structures and Properties of Silicon Nitride Coatings Prepared by CVD on Porous Silicon Oxide Ceramics

LI Jia-liang;NIU Jin-ye

Online:2011-10-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 以甲硅烷(20％甲硅烷+80％氢气)和氨气作为反应前驱体,选择孔隙率为20％左右的多孔石英陶瓷基体,采用CVD法在多孔石英基体表面制备了氮化硅涂层.研究了沉积反应温度、反应压力、反应气体配比以及沉积时间等工艺参数对附着力的影响,确定了CVD法制备氮化硅涂层的最佳工艺参数,通过对所得涂层及复合材料进行抗弯强度和介电性能的表征,探讨了氮化硅涂层对多孔石英基体力学性能和介电性能的影响.

中图分类号:

O484.1

李家亮;牛金叶. 多孔石英基体上CVD法沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能研究[J]. 硅酸盐通报, 2011, 30(5): 1197-1202.

LI Jia-liang;NIU Jin-ye. Synthetic Techniques, Structures and Properties of Silicon Nitride Coatings Prepared by CVD on Porous Silicon Oxide Ceramics[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2011, 30(5): 1197-1202.