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硅酸盐通报 ›› 2011, Vol. 30 ›› Issue (3): 588-592.

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氧化锌单晶体制备技术的研究进展

田志勇;刘俊成;翟慎秋   

  1. 山东理工大学材料科学与工程学院,淄博,255049
  • 出版日期:2011-06-15 发布日期:2021-01-18

Research Progress of ZnO Bulk Single Crystal

TIAN Zhi-yong;LIU Jun-cheng;ZHAI Shen-qiu   

  • Online:2011-06-15 Published:2021-01-18

摘要: ZnO是新型的宽禁带半导体材料,其激子束缚能较大,透明度高,在液晶显示器、隔热玻璃、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用.目前,虽然生长ZnO体单晶的方法已有多种,如水热法、助熔剂法、气相法、熔体法等,但大尺寸体单晶的制备仍然十分困难,而且质量也有待提高.本文综述了已有生长技术的优缺点,并提出了未来的研究方向.

关键词: 氧化锌;单晶生长;半导体

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