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硅酸盐通报 ›› 2010, Vol. 29 ›› Issue (5): 1221-1225.

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β-SiC微粉中杂质碳的去除工艺研究

田欣伟;邓丽荣;陆树河;王晓刚;于庆芬   

  1. 西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054
  • 出版日期:2010-10-15 发布日期:2021-01-18

Research on the Carbon Impurity Removing Technique for β-SiC Micropowder

TIAN Xin-wei;DENG Li-rong;LU Shu-he;WANG Xiao-gang;YU Qing-fen   

  • Online:2010-10-15 Published:2021-01-18

摘要: 借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800~900 ℃,氧化持续时间为1 h.

关键词: β-SiC微粉;杂质碳;氧化特性

中图分类号: