多热源合成SiC温度场的变化规律研究

硅酸盐通报 ›› 2010, Vol. 29 ›› Issue (5): 1036-1040.

多热源合成SiC温度场的变化规律研究

陈杰;王晓刚

西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

出版日期:2010-10-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金资助项目(50174046)%陕西省教育厅专项资助项目(08JK347)

Variation Law of Temperature Field in Multi-heat-source Synthesis SiC

CHEN Jie;WANG Xiao-gang

Online:2010-10-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 通过对多热源合成碳化硅温度场的数值模拟,研究了碳化硅冶炼过程中的温度变化规律,揭示了多热源合成SiC节能增产的机理.研究表明,由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,使高温区域热能扩散和物质扩散动力更强,高温区分布更宽,炉内温场相对更均匀,导致多热源合成SiC技术具有明显的节能、降耗、提质、增产的特点,生产更安全.

中图分类号:

TB383

陈杰;王晓刚. 多热源合成SiC温度场的变化规律研究[J]. 硅酸盐通报, 2010, 29(5): 1036-1040.

CHEN Jie;WANG Xiao-gang. Variation Law of Temperature Field in Multi-heat-source Synthesis SiC[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2010, 29(5): 1036-1040.

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