快中子辐照硅中双空位的退火行为研究

硅酸盐通报 ›› 2010, Vol. 29 ›› Issue (4): 779-783.

快中子辐照硅中双空位的退火行为研究

杨帅;邓晓冉;徐建萍;陈贵锋;闫文博

天津理工大学理学院,天津,300191;天津职业技术师范大学理学院,天津,300222;河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金(50872028;10904109)%河北省自然科学基金(E2008000079)%河北省教育厅科研计划(2009318)%天津职业技术师范大学科研发展项目(KJ0817)

Annealing Behaviors of Divacancies in Fast Neutron Irradiated Silicon

YANG Shuai;DENG Xiao-ran;XU Jian-ping;CHEN Gui-feng;YAN Wen-bo

Online:2010-08-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失.

中图分类号:

TN305

杨帅;邓晓冉;徐建萍;陈贵锋;闫文博. 快中子辐照硅中双空位的退火行为研究[J]. 硅酸盐通报, 2010, 29(4): 779-783.

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