摘要： 用无压浸渗的方法制备了高体积分数的SiC/Al复合材料.通过改变SiC预制样品的烧结工艺来改变SiC和Al的界面状况,分析了SiC表面SiO2层的变化对SiC/Al复合材料的热膨胀系数的影响.用无压浸渗的方法可得到常温下热膨胀系数为(5.68～7.12)×10-6/K的SiC/Al复合材料.颗粒大小一定时,复合材料的热膨胀系数随着SiO2界面层的厚度增加而减小.当界面SiO2层厚度从45 nm增加到2100 nm时,常温下热膨胀系数从7.12×10-6/K减小到5.68×10-6/K.
中图分类号:
王涛. 界面SiO2层对SiC/Al电子封装材料热膨胀系数的影响[J]. 硅酸盐通报, 2009, 28(1): 71-75.
WANG Tao. Influence of Interface on the Coefficient of Thermal Expansion of SiC/Al Electronic Packaging Composite[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2009, 28(1): 71-75.
