NCD/Si3N4界面接触应力分析

硅酸盐通报 ›› 2009, Vol. 28 ›› Issue (1): 16-20.

NCD/Si3N4界面接触应力分析

任卫涛;卢文壮;杨春;左敦稳;徐锋

南京航空航天大学江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京,210016

出版日期:2009-02-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
国家自然科学基金(50605032)%江苏省自然科学基金(BK2006189;BK2007193)

Analysis of Interfacial Contact Stress on NCD / Si3N4

REN Wei-tao;LU Wen-zhuang;YANG Chun;ZUO Dun-wen;XU Feng

Online:2009-02-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 本文运用有限元分析软件MSC.patran/marc对弹性接触状态下NCD/Si3N4进行了接触应力分析,研究了NCD膜弹性模量、膜厚及载荷等因素对NCD/Si3N4界面剪切应力场分布的影响.结果表明:接触状态下NCD/Si3N4最大剪切应力产生于NCD膜与Si3N4基体结合面;弹性模量对NCD膜内部剪切应力场分布、最大剪切应力值及其产生位置影响显著;膜厚影响NCD膜内部剪切应力场分布;载荷与最大剪切应力值约成线形比例关系,对剪切应力场分布无明显影响.

中图分类号:

TB30

任卫涛;卢文壮;杨春;左敦稳;徐锋. NCD/Si3N4界面接触应力分析[J]. 硅酸盐通报, 2009, 28(1): 16-20.

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