包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用

硅酸盐通报 ›› 2008, Vol. 27 ›› Issue (5): 928-932.

包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用

颜东亮;吴建青;钟牋

桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林,541004;华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640;华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
广东省自然科学基金(05006564)%广东省科技攻关计划(2004B10301007)

Preparation of ATO-coated Silicon Dioxide Conductive Filler and Application in Antistatic Ceramics

YAN Dong-liang;WU Jian-qing;ZHONG Yi

Online:2008-10-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 以氧化硅粉体为载体,采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉.对比了该导电粉与ATO在防静电陶瓷中的应用效果.结果表明:以包覆型导电粉作为导电填料制备防静电陶瓷能够大大地减少ATO的用量,其中包覆物加入率为12.5%、25%、50%、75%和100%的ATO包覆氧化硅粉体加入陶瓷后分别能节省大约66%、40%、35%、30%和25%的ATO用量.

中图分类号:

TU551.39

颜东亮;吴建青;钟牋. 包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用[J]. 硅酸盐通报, 2008, 27(5): 928-932.

YAN Dong-liang;WU Jian-qing;ZHONG Yi. Preparation of ATO-coated Silicon Dioxide Conductive Filler and Application in Antistatic Ceramics[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2008, 27(5): 928-932.