用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布

硅酸盐通报 ›› 2008, Vol. 27 ›› Issue (3): 580-583.

用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布

周振宇;陈涌海

中国科学院半导体研究所,北京,100083

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
国家自然科学基金(60625402)%国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB604908)

Research of the inner strain distribution in semiconductor wafers by Transmitted Differential Spectroscopy

ZHOU Zhen-yu;CHEN Yong-hai

Online:2008-06-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级.蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测.

中图分类号:

O471.1

周振宇;陈涌海. 用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布[J]. 硅酸盐通报, 2008, 27(3): 580-583.

ZHOU Zhen-yu;CHEN Yong-hai. Research of the inner strain distribution in semiconductor wafers by Transmitted Differential Spectroscopy[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2008, 27(3): 580-583.