摘要： 通过研究等温化学气相渗透(ICVI)工艺的主要影响因素,如渗透温度、前驱气体组分比与流速等,对制件密度的影响规律,为 ICVI 制备碳化硅复合材料提供了优化的工艺参数.实验表明:渗透温度为 1050℃,炉压为6666.2Pa (50乇),反应气体配比Ar/CH3SiCl3(iTS)约为 10,仅渗透 3h 表面的渗透厚度便接近 20μm,密度略有增加,渗透效果较好.
中图分类号:
高鹏;田贵山. 等温化学气相渗透制备碳化硅复合材料的工艺研究[J]. 硅酸盐通报, 2007, 26(3): 490-493.
GAO Peng;TIAN Gui-shan. Preparation of SiC Composite with Isothermal Chemical Vapor Infiltration[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2007, 26(3): 490-493.
