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硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (4): 168-171.

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碘化铅单晶体生长工艺分析

赵欣;金应荣;朱兴华;贺毅;邱春丽   

  1. 西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;西华大学理化学院,成都,610039
  • 出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-15
  • 基金资助:
    西华大学校科研和教改项目

The Technics Analysis of Lead Iodide Single Crystal Growth

ZHAO Xin;JIN Ying-rong;ZHU Xing-hua;HE Yi;QIU Chun-li   

  • Online:2006-08-15 Published:2021-01-15

摘要: 在坩埚下降法生长PbI2单晶体的过程中,如何解决晶体中的富碘问题是一个研究关键.本文采用坩埚下降法生长出了三种不同颜色的富碘PbI2单晶体.实验中发现:通过合理的选择坩埚在温场中的生长位置,可最大限度的减轻晶体富碘现象,分析了相关工艺,得出了最优工艺方案.结果表明:在适当的工艺条件下,坩埚下降法设备简单,易于操作,是生长PbI2单晶体的优良方法.

关键词: 碘化铅;坩埚下降法;晶体富碘

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