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硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (3): 25-28.

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ZnO-B2O3-SiO2系统低介陶瓷的烧结工艺研究

庞京涛;郑金标;吴纬   

  1. 华东理工大学无机材料学院,上海,200237
  • 出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-15

Sintering Process in the Low Dielectric Constant Ceramic System ZnO-B2O3-SiO2

PANG Jing-tao;ZHENG Jin-biao;WU Wei   

  • Online:2006-06-15 Published:2021-01-15

摘要: 通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响.结果表明:该陶瓷系统致密化过程主要发生在900~1050℃之间,采用最高烧结温度1050℃,保温时间为60min,快速冷却(-20℃/min)的工艺烧成的陶瓷,致密性好,晶粒分布均匀且粒径大小适中,具有良好的介电性能(εr=4.75,tgσ=0.001,1MHz).

关键词: 低介电陶瓷;烧结工艺;ZnO-B2O3-SiO2系统

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