Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制

硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (3): 116-123.

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制

尹文艳;杨合情;宋玉哲;万秀琴;任荣贞

陕西师范大学化学与材料科学学院,西安,710062

出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
国家自?豢蒲Щ?20443006;20573072)%陕西省自然科学基金(2003E.06)

Synthesis and Dimension Control of Nanometer-Sized Ⅲ-Ⅴ Semiconductors

YIN Wen-yan;YANG He-qing;SONG Yu-zhe;WAN Xiu-qin;REN Rong-zhen

Online:2006-06-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 论述了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法.物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等.其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景.

中图分类号:

TQ17

尹文艳;杨合情;宋玉哲;万秀琴;任荣贞. Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制[J]. 硅酸盐通报, 2006, 25(3): 116-123.

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