乙烯掺杂对硅薄膜沉积速率和形貌的影响

硅酸盐通报 ›› 2005, Vol. 24 ›› Issue (6): 64-66.

乙烯掺杂对硅薄膜沉积速率和形貌的影响

朱建强;刘涌;王靖;詹宝华;宋晨路;韩高荣

浙江大学无机非金属材料研究所,杭州,310000

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-15

Effects of Ethylene doping on Deposition Rate and Surface Profile of Silicon Films

Zhu Jianqiang;Liu Yong;Wang Jing;Zhan Baohua;Song Chenlu;Han Gaorong

Online:2005-12-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在Si-C.研究了C2H4/SiH4摩尔比对膜厚的影响,随着C2H4/SiH4的增大,薄膜的沉积速率降低,表明乙烯掺杂会抑制薄膜生长,同时乙烯的加入减弱了颗粒的异常长大.

中图分类号:

TQ17

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