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硅酸盐通报 ›› 2003, Vol. 22 ›› Issue (1): 30-34.

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硅粉直接氮化反应合成氮化硅研究

李亚伟;张忻;田海兵;刘俊虎;李楠   

  1. 武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室,武汉,430081
  • 出版日期:2003-02-15 发布日期:2021-01-15
  • 基金资助:
    教育部科学技术基金

Preparation of Silicon Nitride Powder by Direct Nitridation Process

  • Online:2003-02-15 Published:2021-01-15

摘要: 研究了硅粉直接氮化反应合成氮化硅粉末的工艺因素(包括硅粉粒度、氮化温度、成型压力、稀释剂含量等),借助XRD,SEM等测试手段测定和观察了氮化产物的物相组成和断口形貌.研究结果表明:硅粉在流动氮气氛下,高于1200℃氮化产物中氮含量明显增加;在氮化反应同时还伴随着硅粉的熔结过程,它阻碍硅粉的进一步氮化,其影响程度与氮化温度、氮化速度,素坯成型压力及硅粉粒度等工艺因素有关.在硅粉素坯中引入氮化硅作为稀释剂,提高了硅粉的氮化率,使产物中残留硅量降低;同样在实际生产中可以通过控制适当热处理制度(如分段保温、慢速升温),达到硅粉的完全氮化.在生产中批量合成了含氮量为32.5%,残留硅量为0.05%,主要为α相,含少量β相的针状、柱状的氮化硅.

关键词: 直接氮化;氮化硅;合成

中图分类号: