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硅酸盐通报 ›› 1999, Vol. 18 ›› Issue (5): 11-14.

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氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究

岳瑞峰;王佑祥;陈春华   

  1. 中国科学院表面物理国家重点实验室,北京,100080;清华大学微电子学研究所;中国科学院表面物理国家重点实验室,北京,100080;中国科学院半导体研究所
  • 出版日期:1999-10-15 发布日期:2021-01-15
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目

Studies of AlN and Mullite Ceramic Substrates by SIMS and XRD

Yue Ruifeng;Wang Youxiang;Chen Chunhua   

  • Online:1999-10-15 Published:2021-01-15

摘要: 利用二次离子质谱(SIMS)和X射线衍射(XRD)研究了用于电子封装的以Dy2O3、CaO为添加剂的AlN和以堇青石、BaCO3为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分,尤其是表面杂质,并利用SIMS尝试探讨了AlN表面热氧化问题.结果表明,AlN和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Li、C、F、Na、K、Cl、Ti、Rb等杂质元素的污染;AlN表面存在富O层,在空气中经过850℃10分钟退火后,富O层明显展宽.

关键词: 氮化铝;莫来石;二次离子质谱;成分分析

中图分类号: