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硅酸盐通报 ›› 2018, Vol. 37 ›› Issue (10): 3256-3259.

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AEO6对铜CMP后清洗颗粒去除的影响

胡新星;檀柏梅   

  1. 河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
  • 出版日期:2018-10-15 发布日期:2021-01-18
  • 基金资助:
    国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)%河北省青年自然科学基金(F2015202267)

Effect of AEO6 on Particle Removal during Post Cu CMP Clean

HU Xin-xing;TAN Bai-mei   

  • Online:2018-10-15 Published:2021-01-18

摘要: 硅溶胶等残留颗粒是铜CMP后清洗需要去除的沾污之一.在FA/OⅡ螯合剂的协同作用下,对比了八种表面活性剂和四种添加剂对铜表面颗粒沾污去除的影响,表面活性剂包括阴离子型ALS、LABSA、MAP-K、LPS-30和非离子型AEO6、LEP-10、LDEA、APG1214,添加剂为硝酸钾、柠檬酸、乙二醇、枧油.并对表面活性剂和添加剂的浓度进行优化.清洗方式为使用PVA刷进行刷洗,清洗后通过金相显微镜检测剩余颗粒,扫描电镜观测铜表面形貌.实验得出颗粒去除效果较好的表面活性剂为AEO6,较佳的浓度为0.02 M.聚氧乙烯类表面活性剂与FA/OⅡ螯合剂的配伍效果较好.添加0.9wt%枧油可使AEO6清洗液的颗粒去除效果略微提升,枧油做复配的非离子表面活性剂.

关键词: 化学机械平坦化;铜CMP后清洗;去除颗粒;表面活性剂

中图分类号: