多热源合成碳化硅温度场及压力场变化规律研究

硅酸盐通报 ›› 2017, Vol. 36 ›› Issue (10): 3498-3503.

多热源合成碳化硅温度场及压力场变化规律研究

李阳;陈杰;王旭阳;王飞;王晓刚

陕西铁路工程职业技术学院,渭南,714000;西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054;西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2017-10-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
陕西铁路工程职业技术学院科研基金项目(KY2016-34)%陕西省教育厅科研计划项目(12JK0785)

Change Law of Temperature and Pressure Field Synthesis Silicon Carbide by Multi-heat-source

LI Yang;CHEN Jie;WANG Xu-yang;WANG Fei;WANG Xiao-gang

Online:2017-10-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 过数值模拟及工业实验的方法分别对多热源和单热源合成炉内的温度场及压力场进行分析,研究了两种合成炉内温度及压力的演变规律.结果表明由于多热源的能量叠加效应,使得适合于碳化硅合成的温度区域明显高于单热源,且分散的热源避免了能量过于集中从而减少碳化硅的分解量,同时从两种合成炉压力分布图可以看出,单热源炉内压力最高为1.525×101 kPa极易发生喷炉事故,而多热源最高压力为1.256×101 kPa,此压力相比而言能保证合成过程的平稳进行.

关键词: 多热源;碳化硅;温度场;压力场

Abstract: With numerical simulation and industry experiments of temperature and pressure field in multi and single heat source , the temperature and pressure field was analyzed .The results show that due to superposition effect of temperature field in multi heat source furnace will increase suitable for silicon carbide synthesis area , and dispersed heat source can avoid decomposition of silicon carbide .At the same time, seen from the two synthesis furnace pressure distribution , the most pressure is 1.525 ×101 kPa in single heat source , it will tend cause spouting of furnace , and the maximum pressure of multi heat source is 1.256 ×101 kPa the pressure can ensure smooth synthesis process .

Key words: multi-heat-source;silicon carbide;temperature field;pressure field

中图分类号:

TQ173

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