基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响

硅酸盐通报 ›› 2016, Vol. 35 ›› Issue (6): 1847-1850.

基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响

罗乐平;赵青南;刘旭;丛芳玲;顾宝宝;董玉红;赵杰

武汉理工大学,硅酸盐建筑材料国家重点实验室,武汉430070;武汉理工大学,硅酸盐建筑材料国家重点实验室,武汉430070;江苏秀强玻璃工艺股份有限公司,宿迁223800;江苏秀强玻璃工艺股份有限公司,宿迁,223800

出版日期:2016-06-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
湖北省重大科技创新计划项目(2013AAA005)

Influence of Substrate Temperatures on the Cyclic Life of Electrochromic Tungsten Oxide(WO3) Films Deposited by Reaction DC Magnetron Sputtering

LUO Le-ping;ZHAO Qing-nan;LIU Xu;CONG Fang-ling;GU Bao-bao;DONG Yu-hong;ZHAO Jie

Online:2016-06-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 通过选取室温、100℃、200 ℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响.实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次.当基片温度由100℃提高至200℃时,循环寿命反而有所衰退,循环次数由3000次减少至1000次.

关键词: 直流反应溅射;氧化钨薄膜;基片温度;循环寿命;光学调制幅度

Key words: DC reactive sputtering;tungsten oxide films;substrate temperature;durability;optical modulation amplitude

中图分类号:

O484

罗乐平;赵青南;刘旭;丛芳玲;顾宝宝;董玉红;赵杰. 基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响[J]. 硅酸盐通报, 2016, 35(6): 1847-1850.

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