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硅酸盐通报 ›› 2015, Vol. 34 ›› Issue (4): 941-946.

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N型Cu掺杂NiO的电子结构与热电性能

张飞鹏;杨欢;张忻;路清梅;张久兴   

  1. 河南城建学院数理学院,平顶山467036;北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124;河南城建学院土木工程学院,平顶山,467036;北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124
  • 出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-18
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51201037)%北京市自然科学基金(2112007)%河南省科技计划(132300410071)%青年骨干教师项目(20140425)

Electronic Structure and Thermoelectric Properties of Cu doped NiO

ZHANG Fei-peng;YANG Huan;ZHANG Xin;LU Qing-mei;ZHANG Jiu-xing   

  • Online:2015-04-15 Published:2021-01-18

摘要: 基于密度泛函理论第一性原理计算的方法研究了Cu掺杂NiO氧化物的能带结构、电子能量状态密度和电荷分布,系统分析了其电输运参数和热电性能.能带结构计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物带隙减小.态密度计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的状态密度大大提高.电荷分布计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物阳离子和阴离子之间偏向共价结合.载流子输运参数分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的载流子有效质量均增大,其迁移率降低,费米能级附近的载流子浓度增加.电输运性能分析结果表明,载流子在Op态、Ni d态、Cud态电子与Os、Op态、Ni s、Ni p态、Cu s、Cu p态电子形成的能级之间的跃迁形成载流子迁移过程.热电性能分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物电阻率大大降低,Seebeck系数有望得到提高,Cu掺杂可提高NiO氧化物的热电性能.

关键词: NiO;Cu掺杂;电输运参数;热电性能

Key words: NiO;Cu doping;electrical transport parameter;thermoelectric property

中图分类号: