晶界势垒和缺陷对PTC效应影响的研究

硅酸盐通报 ›› 2015, Vol. 34 ›› Issue (2): 506-511.

晶界势垒和缺陷对PTC效应影响的研究

程绪信;肖海霞;赵肇雄;崔海宁

肇庆学院,电子信息与机电工程学院,肇庆526061

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
国家自然科学基金(51402258)%广东省高校优秀青年创新人才培养计划资助项目(2013LYM0099)%广东省普通高校特色创新项目%肇庆学院青年基金(201320)%肇庆学院质量工程(ZLGC201404)%肇庆学院博士启动基金

Research on the Influence of Grain Boundary Barrier and Defects on PTC Effect

CHENG Xu-xin;XIAO Hai-xia;ZHAO Zhao-xiong;CUI Hai-ning

Online:2015-02-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 为了适应市场对低压集成电路过流保护作用的PTC热敏陶瓷的低阻化要求,采用还原-再氧化的烧结工艺来制备多层片式PTC热敏陶瓷.本文主要研究了(Ba1.022-xSmx)TiO3基陶瓷在还原气氛中1200℃烧结30 min并在800℃再氧化热处理后其室温电阻率随施主掺杂浓度的变化关系,以及冷却速率对该样品PyTC效应的影响.从氧化物半导体理论出发,阐述了在还原再氧化过程中该陶瓷的缺陷模型和晶界特性,讨论了施主掺杂BaTiO3基PTC陶瓷缺陷行为与晶界势垒及其导电机理,解释了冷却速率和再氧化时间对样品的电性能以及PTC效应的影响.

关键词: BaTiO3陶瓷;PTC效应;热敏陶瓷;晶界势垒;缺陷

Key words: BaTiO3 ceramics;PTC effect;thermistor ceramics;grain boundary barrier;defect

中图分类号:

TQ174

程绪信;肖海霞;赵肇雄;崔海宁. 晶界势垒和缺陷对PTC效应影响的研究[J]. 硅酸盐通报, 2015, 34(2): 506-511.

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