摘要： 通过对碳热还原合成SiC冶炼炉温度场的数值模拟及实验,揭示了冶炼炉内温度场的演变规律.研究表明,碳化硅合成过程中,热量以热源为中心呈辐射状向外传递,其合成温度(1600℃)等温面也逐渐向外扩大,表现为SiC的合成反应温区增大;SiC的大量合成发生在中后期,合成持续,SiC合成温区面积增加缓慢.合成时间过长,会导致已生成的SiC分解,容易形成实际生产中喷炉事故;适当比例的SiC分解,有利于形成高致密的碳化硅产品.
中图分类号:
陈杰;王晓刚. 碳热还原合成SiC温度场演变规律研究[J]. 硅酸盐通报, 2013, 32(11): 2212-2216.
CHEN Jie;WANG Xiao-gang. Variation Law of Temperature Field in Synthesis of SiC by Carbothermal Reduction Method[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2013, 32(11): 2212-2216.
