抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究

硅酸盐通报 ›› 2013, Vol. 32 ›› Issue (8): 1672-1675.

抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究

庞珍丽;师瑞泽;张杰;肖亚波;姜秀丽

烁光特晶科技有限公司,北京,100018

出版日期:2013-08-15 发布日期:2021-01-18
基金资助:
科技型中小企业技术创新基金项目(03c26121100833)

Growth and Properties Research of Gray-track Resistance Rb∶KTP Crystal

PANG Zhen-li;SHI Rui-ze;ZHANG Jie;XIAO Ya-bo;JIANG Xiu-li

Online:2013-08-15 Published:2021-01-18

摘要/Abstract

摘要： 本文采用K6P4O13(K6)作助熔剂来生长Rb∶KTP晶体,所生长的晶体具有电导率低,吸收系数稳定和好的抗灰迹性能等优点.本文按照生长比例KTP∶K6=1.345∶1(物质的量比),Rb离子浓度为取代溶液中K离子浓度的1.4 mol％左右来进行配料.测量了Rb∶KTP晶体中掺杂的Rb离子浓度为0.87 mol％,经过测试,晶体的电导率达到10-10 S/cm.测试了晶体随时间延长的光能吸收,发现Rb∶KTP晶体的吸收系数比较稳定,并进行了晶体抗灰迹性能激光测试,发现Rb∶KTP晶体较普通KTP晶体具有很好的抗灰迹性能.

关键词: 磷酸钛氧钾;低电导率;抗灰迹;K6P4O13助溶剂

Key words: KTP;low conductivity;gray-track resistance;K6P4O13 flux system

中图分类号:

庞珍丽;师瑞泽;张杰;肖亚波;姜秀丽. 抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究[J]. 硅酸盐通报, 2013, 32(8): 1672-1675.

PANG Zhen-li;SHI Rui-ze;ZHANG Jie;XIAO Ya-bo;JIANG Xiu-li. Growth and Properties Research of Gray-track Resistance Rb∶KTP Crystal[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2013, 32(8): 1672-1675.

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