摘要： 本文采用硅粉水解-胶粒整理法制备硅晶片抛光所用硅溶胶,考察了单质硅粉的加入量、反应时间、反应温度、硅溶胶底液浓度、催化剂种类及用量对硅溶胶胶粒平均粒径增长的影响,得到最佳工艺条件:单质硅粉的最佳加入量为25 g、反应时间7h、反应温度80℃、硅溶胶底液的质量浓度为8％、选稀氨水为催化剂、用量为12 mL,在此条件下可制备得到平均粒径为20 nm的硅溶胶产品.经过多次粒子生长可以制备得到适用于硅晶片抛光产业的高纯度大粒径硅溶胶.
中图分类号:
郑典模;潘鹤政;屈海宁;陈骏驰;彭静红. 硅晶片抛光用高纯度大粒径硅溶胶的研究[J]. 硅酸盐通报, 2013, 32(6): 999-1004.
ZHENG Dian-mo;PAN He-zheng;QU Hai-ning;CHEN Jun-chi;PENG Jing-hong. Study on the Silica Sol with High Purity and Large Particle Size that Suitable for Silicon Wafer Polishing[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2013, 32(6): 999-1004.
