Nd2O3掺杂对BSTO/MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响

硅酸盐通报 ›› 2009, Vol. 28 ›› Issue (4): 839-843.

Nd2O3掺杂对BSTO/MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响

王宇光;刘敏;周洪庆

济宁学院化学系,济宁,272335;南京工业大学材料科学与工程学院,南京,210009

发布日期:2021-01-15

Influence of Nd2O3 Doping on the Dielectric Properties of BSTO/MgO

WANG Yu-guang;LIU Min;ZHOU Hong-qing

Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 当掺杂0.3mol% Nd2O3时,BSTO/MgO复合陶瓷材料的介电常数为88,损耗2.8×10-3(4.1GHz),介电常数可调为6.9%(2.0 kV/mm).利用电介质理论分析了Nd2O3对BSTO/MgO复合陶瓷材料介电性质的改性机理.

关键词: BSTO/MgO;Nd2O3;介电性能;掺杂

Abstract: ielectric properties: εr = 88, tanδ = 2.8×10-3(at 4.1 GHz) and tunability=6.9% (at external DC field E=2.0 kV/mm).

Key words: BSTO/MgO%Nd2O3%dielectric properties%doping

中图分类号:

TB34

王宇光;刘敏;周洪庆. Nd2O3掺杂对BSTO/MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响[J]. 硅酸盐通报, 2009, 28(4): 839-843.

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