摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜.利用拉曼(Raman)散射谱研究显示当H2稀释比从95%升高到99%,所得硅膜晶粒大小从2.98 nm增加8.79 nm,晶化率从24%增加到91%;暗电导测试结果从1.32×10-6scm-1增加到7.24×10-3scm-1;沉积速率却大大降低.沉积出的薄膜在进行高温炉退火后,扫描电镜(SEM)显示样品表面孔洞变大增多,推测是氢逸出所致.
中图分类号:
李瑞;樊志琴;张丽伟;蔡根旺;杨培霞. 氢在微晶硅薄膜低温沉积及退火过程中的影响[J]. 硅酸盐通报, 2009, 28(2): 370-373.
LI Rui;FAN Zhi-qin;ZHANG Li-wei;CAI Gen-wang;YANG Pei-xia. Influence of Hydrogen on Microcrystalline Silicon Thin Film in Low Temperature Deposition and Annealling Process[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2009, 28(2): 370-373.
