B掺杂CVD金刚石厚膜的应力研究

硅酸盐通报 ›› 2008, Vol. 27 ›› Issue (5): 1010-1013.

B掺杂CVD金刚石厚膜的应力研究

卢文壮;左敦稳;徐锋;王珉

南京航空航天大学机电学院,南京,210016;南京航空航天大学江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学机电学院,南京,210016

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
国家自然科学基金(50605032)%江苏省自然科学基金(BK2006189;BK2007193)

Effect of Boron-doping on the Stress in CVD Diamond Thick Film

LU Wen-zhuang;ZUO Dun-wen;Xu Feng;WANG Min

Online:2008-10-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜,利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响.结果显示,B元素的掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,膜中非晶态碳含量随着掺杂浓度的增加而增加.在低掺杂时CVD金刚石厚膜成核面上的应力状态为压应力,在高掺杂时应力状态为张应力,张应力值随着掺杂浓度的增加而增加.掺杂CVD金刚石厚膜生长面的应力为张应力,在高掺杂时的张应力值较高.

中图分类号:

TG115.22

卢文壮;左敦稳;徐锋;王珉. B掺杂CVD金刚石厚膜的应力研究[J]. 硅酸盐通报, 2008, 27(5): 1010-1013.

LU Wen-zhuang;ZUO Dun-wen;Xu Feng;WANG Min. Effect of Boron-doping on the Stress in CVD Diamond Thick Film[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2008, 27(5): 1010-1013.